贴牌价格高达14万元 TSMC的3纳米实际性能大大降低 只比5纳米好5%
目前TSMC量产的最先进技术是5nm和改良版4nm。由于各种原因，3纳米技术被推迟了。9月份说要量产，年底就要量产了。不过，就算这个月量产，真正量产也是明年。
根据TSMC之前的信息，3nm节点上至少有五代衍生工艺，分别是N3、N3P、N3S、N3X、N3E，其中N3工艺是最早量产的，但是这个工艺被客户放弃了，所以很可能会被放弃，明年直接用在N3E工艺上。
与N5工艺相比，N3功耗可降低约25-30%，性能可提高10-15%，晶体管密度可提高约70%。
N3E在N3的基础上，提高了性能，降低了功耗，扩大了应用范围。与N5相比，功耗降低34%，在相同功耗和密度下性能提升18%，或者可以增加60%的晶体管密度，密度甚至更低。
考虑到摩尔定律近年来一直在放缓，70%左右的密度增长看起来不错，但这是TSMC公布的最好水平，指的是纯逻辑芯片。SRAM缓存的密度只有20%，N3E会更低。
不过20%的提升，理论上还是很美好的。TSMC之前在IEDM会议上公布了更多真实数据。3nm工艺的SRAM缓存的晶体管密度只比5nm高5%，指标大幅缩水。
3nm工艺虽然性能提升10-15%或者功耗提升25-30%，但这些指标显然是理想的，实际提升会像密度一样缩水。
但是3nm晶圆代工涨价是实实在在的。传言是每片2万美元，约合人民币14万元，比5nm工艺至少高25%。
而且14万的价格还是基准价。如果制造商的订货量达不到TSMC的要求，价格就会大幅上涨。超过10万美元也就是70万人民币很正常。这样的价格，芯片设计师的成本根本无法持续。
难怪在需求下降的情况下，TSMC还想逆势涨价，但苹果坚决拒绝。反击TSMC的理由是，苹果的利润率近年来没有增长，而TSMC自己的利润率从50%增长到了60%。