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1.二极管2的工作原理是什么。二极管3的工作原理。二极管4的工作原理。二极管

二极管的工作原理是什么

二极管工作原理是：

二极管的主要原理是利用PN结的单边导电性，在PN结上加引线封装形成一个二极管。晶体二极管是由p型半导体和n型半导体形成的PN结。

界面两侧形成空间电荷层，自建电场。没有外加电压时，PN结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，处于电平衡状态。

当外加直流偏压时，外加电场和自建电场的相互抑制增加了载流子的扩散电流，引起正向电流。当存在反向偏压时，外电场和自建电场进一步加强，在一定的反向电压范围内形成与反向偏压值无关的反向饱和电流。

二极管的主要应用：

几乎所有的电子电路都使用半导体二极管。在电路中使用半导体二极管可以保护电路并延长其寿命。

半导体二极管的发展使得集成电路更加优化，在各个领域发挥着积极的作用。二极管在集成电路中起着许多作用，维持着集成电路的正常运行。下面简单介绍一下二极管在以下四个电路中的作用。

00-1010二极管，(英文：Diode)，电子元器件中，是一种有两个电极的器件，只允许电流单向流动。其中许多用于其整流功能。和变容二极管(变容二极管

二极管)被用作电子可调电容器。大多数二极管都有电流方向性，我们通常称之为& quot纠正& quot功能。二极管最常见的功能是只允许电流单向通过(称为正向偏置)，而阻止电流反向通过。

(称为反向偏置)。因此，二极管可以被认为是一个电子止回阀。

(a)VD截止，Uo=3V。

过程：假设VD关断，其阴极为6V，阳极为3V，二极管承受反向电压，因此关断。输出电压Uo=3V。

(b)VD1关闭，VD2开启。假设VD1和VD2是理想二极管，输出电压Uo=0V。

工艺：假设VD1和VD2截止，VD1阴极6V，阳极-12V，施加背压，截止。VD2的阳极为0V，阴极为-12V，接通直流电压。假设二极管是理想的，没有压降，VD1的负极为0V，VD1仍然承受着反压，维持关断状态。最终输出电压被VD2短路，输出电压为0V。

(C)VD1开启，VD2关闭。假设二极管是理想的，输出电压Uo=-3V。

工艺：假设VD1和VD2关断，VD1阴极-3V和阳极-12V导通，其阳极嵌在-3V，那么VD2阳极-3V和阴极-0V反压关断。输出电压Uo=-3V。

00-1010二极管又叫晶体二极管，简称二极管。此外，还有早期的真空电子二极管。它是一种单向电流传导的电子器件。半导体二极管内部有一个PN结和两个引线端子。这种电子器件根据施加电压的方向具有单向电流转换。

一般来说，晶体二极管是由P型半导体和N型半导体烧结而成的pn结界面。界面两侧形成空间电荷层，形成自建电场。当外加电压等于零时，pn结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自建电场引起的漂移电流，处于电平衡状态，这也是正常状态下的二极管特性。

施加直流电压时，在正向特性开始时，直流电压太小，无法克服PN结中电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，称为死区。这种不能导通二极管的直流电压称为死区电压。当直流电压大于死区电压时，PN结内的电场被克服，二极管导通，电流随着电压的升高而迅速上升。在目前的正常范围内

反向，当施加的反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流就是少数载流子漂移运动形成的反向电流。因为反向电流非常小，二极管处于关断状态。这个反向电流也叫反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

击穿，当施加的反向电压超过一定值时，反向电流会突然增大。这种现象被称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。当电击失效时，二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而过热，则单向导通可能不会永久损坏，在去掉外加电压后其性能仍能恢复，否则二极管会损坏。因此，使用时应避免二极管施加过大的反向电压。

二极管正向压降：硅二极管(不发光型)正向压降0.7V，锗管正向压降0.3V，LED正向压降随发光颜色不同而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色LED压降2.0-2.2V，黄色LED压降1.8—2.0V，绿色LED压降3.03.2v，正常照明时额定电流约20mA。二极管的电压和电流不是线性的，所以当并联不同的二极管时，需要连接合适的电阻。

二极管配直流电压时，电压值小时电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始呈指数增长，通常称之为这个。

二极管工作原理

正向导电，反向不导电。晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，p-n结两边载流子浓度差引起扩散电流和自建电场，引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

1、二极管工作原理（正向导电，反向不导电），晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。

2、当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

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